ATOMİK
TABAKA EPİTAKSİSİ(Atomic Layer Epitaxy)
Atomik tabaka epitaksisi (ALE), kimyasal buhar
biriktirme(CVD) yönteminin özel bir şekli olarak da düşünülebilir. Epitaksial
filmlerin kontrollu gelişimini sağlamak amaçlı biriktirme ve katı alt malzeme
yüzeyinde biçimlendirilmiş moleküler yapı oluşturma işlemidir. Tek atomlu
tabakaların seri halde büyütülebilmesi
ALE’nin karakteristik özelliğidir. Bu yüzden istenen kaplama kalınlığı
ancak işlemdeki seri reaksiyonların
sayımıyla elde edilebilir. Seri reaksiyonlarla oluşmuş tek katlı yapının
yeniden kurulması belirtinin doyurma
mekanizmasını ve doyurma yoğunluğunu etkilemektedir. ALE reaksiyonları normalde
“etkili aşırı dozlama “ durumlarında tek atomlu yapıyı oluşturmak için tam
doyurma meydana gelmesini kesinleştirir. Bundan başka öylesi “etkili aşırı
dozlama” durumları kompleks şekilli alt malzemeler üzerinde homojen bir kaplama
yapılmasını sağlamaktadır. Ayrıca ALE’deki bu zincir gaz fazı reaksiyonlarını
engellemekte ve reaktan madde seçiminde daha fazla olanak sağlamaktadır.
(örnek; tuz benzeri, metalorganikleri vs...) ALE işlemi mükemmel homojenliğe
sahip yüksek kalitedeki ince filmlerde biriktirmede kullanılabilmektedir.
